Aplicaciones de radiometría fototérmica infrarroja y radiometría fototérmica de portadores en la caracterización de materiales semiconductores y materiales metálicos

Mario Enrique Rodríguez García1,*, Diego Germán Espinosa-Arbelaes1, Alexander Villada Villalobos2, Rubén Velazquez Hernández3, Ignacio Rojas Rodríguez4

1Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM
2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro
3Posgrado en Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro
4Universidad Tecnológica de Querétaro

En la actualidad el uso de técnicas no contacto para la caracterización de propiedades físicas en materiales está ganando interés, principalmente por el carácter remoto, no destructivo y en muchos casos in-situ. La principal ventaja de las técnicas fototérmicas es que al ser moduladas tienen dos canales de información: la amplitud y la fase. En el caso de materiales semiconductores, el tamaño de las obleas está aumentando y el número de posibles puntos de inspección no puede incrementarse de la misma manera. En los materiales semiconductores es importante poder monitorear propiedades térmicas y electrónicas que den información sobre el estado del material en cada uno de los pasos del proceso. En este trabajo se mostrarán estudios sobre uniformidad electrónica en Si, Gasb-Te, Cu2Te y estudios de imágenes térmicas de la zona afectada por el impacto en soldadura de Cu-acero. Estos estudios mediante radiometría fototérmica infrarroja y de portadores en los materiales citados se correlacionaran con otros estudios mediante microscopía Raman, SEM -EDS y y difracción de rayos X.

*Mario Rodríguez estudió la licenciatura en Física en la Universidad del Quindio en Colombia, la maestría en Física en la Universidad Autónoma de San Luis Potosí y el doctorado en Física en el CINVESTAV del IPN. Realizó dos posdoctorados, uno en el CINVESTAV y uno en la Universidad de Toronto, Canadá. Es especialista en Fisicoquímica de alimentos, propiedades ópticas de materiales semiconductores y propiedades termo-electrónicas de los materiales, nivel 3 del SNI e investigador de la UNAM desde 2001.




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